国产 50A 低压N沟道MOS 大功率场效应管 50N10 TO-252
大功率场效应管 50N10的特点：
VDS=100V
ID=50A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=10V
封装：TO-252
大功率场效应管 50N10的用途：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
大功率场效应管 50N10的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续ID：50A
漏极电流-脉冲 IDM：70A
单脉冲雪崩能量 EAS：256mJ
总耗散功率 PD：85W
存储温度 TSTG：-55~175℃
工作温度 TJ：-55~175℃
大功率场效应管 50N10的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 24 | 28 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A | 28 | 30 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 3 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 15 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 39 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 8 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 12 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2000 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 300 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 250 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 7 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 7 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 29 | |||
| tf | 开启下降时间 | 7 |
大功率场效应管 50N10的封装外形尺寸图：
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