N沟道插件MOS 30N10 TO-220 功率场效应管 MOS管30N10 LED用
N沟道插件MOS 30N10的用途：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
N沟道插件MOS 30N10的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续ID：30A
漏极电流-脉冲 IDM：72A
单脉冲雪崩能量 EAS：126mJ
雪崩电流 IAS：13A
总耗散功率 PD：125W
存储温度 TSTG：-55~175℃
工作温度 TJ：-55~175℃
N沟道插件MOS 30N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=16A | 36 | 40 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A | 50 | ||||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.5 | 2.5 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 30 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 45.6 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 6.7 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 11.8 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2270 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 130 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 90 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 12 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 32.2 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 42 | |||
| tf | 开启下降时间 | 13.4 |
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