140mΩ 低压MOS管 12N10 TO-252 场效应管丝印 100V/12A MOSFET手册
低压MOS管 12N10的用途：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
低压MOS管 12N10的极限值：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
漏极-源极电压 VDS：100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：12A
漏极电流-脉冲 IDM：24A
总耗散功率 PD：17W
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：7.4℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
低压MOS管 12N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5A | 110 | 140 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=3A | 140 | 180 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 4.3 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.1 | |||
| Ciss | 输入电容 | 206.1 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 28.9 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 1.4 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 14.7 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 3.5 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 20.9 | |||
| tf | 开启下降时间 | 2.7 |
低压MOS管 12N10的封装外形尺寸图：
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