85V低压NMOS 120N08 TO-220 插件国产MOS 大功率场效应管
85V低压NMOS 120N08的特点：
VDS=85V
ID=120A
RDS(ON)＜5.2mΩ@VGS=10V
封装：TO-220
85V低压NMOS 120N08的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
85V低压NMOS 120N08的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 85 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 120 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 100 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 480 | |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 220 | W |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 560 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 53.4 | A |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
85V低压NMOS 120N08的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 85 | 92 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=50A,Tj=25℃ | 4.5 | 5.2 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | 100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 65.7 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 24.9 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 13.9 | |||
| Ciss | 输入电容 | 4032 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 546 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 35 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 20.1 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 38 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 45.1 | |||
| tf | 开启下降时间 | 21 |
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