同步整流应用MOS 70N08 TO-220 插件场效应管 70A/80V 低压MOSFET
低压MOSFET 70N08的特点：
低内阻
极低的开关损耗
封装：TO-220
低压MOSFET 70N08的应用领域：
消费电子电源电机控制
同步整流
同步整流应用程序
低压MOSFET 70N08的极限参数：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 80 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 70 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 55 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 300 | |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 160 | W |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 550 | mJ |
| TSTG | 存储温度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~175 | |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 0.94 | ℃/W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 63 |
低压MOSFET 70N08的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 80 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=40A | 8.5 | 10 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 94 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 16 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 24 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3400 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 290 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 221 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 15 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 11 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 52 | |||
| tf | 开启下降时间 | 13 |
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