插件式 电源用大电流MOS 85N08 TO-220 7.2mΩ N型MOSFET
N型MOSFET 85N08的产品特点：
VDS=80V
ID=85A
RDS(ON)＜7.2mΩ@VGS=10V
封装：TO-220
N型MOSFET 85N08的应用领域：
功率切换应用程序
硬开关和高频电路
UPS不间断电源
N型MOSFET 85N08的极限参数：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 80 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 85 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 58 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 300 | |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 125 | W |
| TSTG | 存储温度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~175 | |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.2 | ℃/W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 110 |
N型MOSFET 85N08的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 80 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=40A | 7.2 | mΩ | ||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 5 | V | |
| IDSS | 零栅压漏极电流 | 25 | uA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 58 | 92 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 14 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 29 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2350 | 3760 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 390 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 245 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 13 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 80 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 26 | |||
| tf | 开启下降时间 | 12 |
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