宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,168彩票下载星空娱乐 ,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 » 产品中心 » app星空游戏 » MOS管 » 中低压MOS管 » 小电流PMOS管 15P06 TO-252

产品分类

Product Categories
小电流PMOS管 15P06 TO-252
小电流PMOS管 15P06 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:15P06
产品封装:TO-252
产品标题:小电流PMOS管 -60V/-18.8A 70mΩ 国产替代场效应管 15P06 TO-252
咨询热线:0769-89027776

产品详情


小电流PMOS管 -60V/-18.8A 70mΩ 国产替代场效应管 15P06 TO-252



小电流PMOS管 15P06的特点:

  • VDS=-60V

  • ID=-18.8A

  • RDS(ON)<70mΩ@VGS=-10V

  • 封装:TO-252



小电流PMOS管 15P06的应用领域:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS不间断电源



小电流PMOS管 15P06的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:-60V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:-18.8A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-36A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:35.4mJ

  • 雪崩电流 IAS:-26.6A

  • 总耗散功率 PD:34.7W

  • 结到环境的热阻 RθJA:62℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:3.6℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



小电流PMOS管 15P06的电特性:

(如无特殊说明,TA=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-60

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-12A


5370
静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-8A


64105
VGS(th)
栅极开启电压-1.2-1.5-2.5V
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
9.86
nC
Qgs栅源电荷密度

3.08
Qgd栅漏电荷密度
2.95
Ciss输入电容
1447
pF
Coss输出电容
97.3
Crss反向传输电容
70
td(on)开启延迟时间
28.8
ns
tr开启上升时间
19.8
td(off)关断延迟时间
60.8
tf
开启下降时间
7.2


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设
Baidu
map