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60V P型MOSFET 3P06 SOT-23
60V P型MOSFET 3P06 SOT-23
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:3P06
产品封装:SOT-23
产品标题:60V P型MOSFET 3P06 SOT-23 锂电池场效应管 大芯片 MOS管丝印
咨询热线:0769-89027776

产品详情


60V P型MOSFET 3P06 SOT-23 锂电池场效应管 大芯片 MOS管丝印



P型MOSFET 3P06的引脚配置图:

image.png



P型MOSFET 3P06的特点:

  • VDS=-60V

  • ID=-3A

  • RDS(ON)<180mΩ@VGS=-10V

  • 封装:SOT-23



P型MOSFET 3P06的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压-60V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TA=25℃)-3.3A
漏极电流-连续(TA=70℃)-1.4
IDM漏极电流-脉冲-7
PD总耗散功率 TA=25℃1W
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJC结到管壳的热阻80℃/W
RθJA结到环境的热阻125



P型MOSFET 3P06的电特性:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-60

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-1.5A


130185
静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-1A


158200
VGS(th)
栅极开启电压-1
-2.5V
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
4.6
nC
Qgs栅源电荷密度

1.4
Qgd栅漏电荷密度
1.62
Ciss输入电容
531
pF
Coss输出电容
59
Crss反向传输电容
38
td(on)开启延迟时间
17.4
ns
tr开启上升时间
5.4
td(off)关断延迟时间
37.2
tf
开启下降时间
2.4


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