大电流场效应管 80N06 TO-220 插件MOSFET 60VMOS管丝印
插件MOSFET 80N06的特点：
VDS=60V
ID=80A
RDS(ON)＜12mΩ@VGS=10V
封装：TO-220
插件MOSFET 80N06的极限参数：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
漏极-源极电压 VDS：60V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：80A
漏极电流-脉冲 IDM：272A
总耗散功率 PD：104W
结到环境的热阻 RθJA：62.5℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：1.2℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
插件MOSFET 80N06的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 60 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=45A | 7.2 | 12 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=30A | 8.3 | 15 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.4 | 3 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 33 | 45 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 21 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2680 | 3300 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 260 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 180 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 10 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 43 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 47 | |||
| tf | 开启下降时间 | 80 |
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