国产替代 手机快充MOS管 常用60V场效应管 80N06 PDN5X6-8L
手机快充MOS管 80N06的引脚图：
手机快充MOS管 80N06的用途：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
手机快充MOS管 80N06的极限参数：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
漏极-源极电压 VDS：60V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：80A
漏极电流-脉冲 IDM：210A
单脉冲雪崩能量 EAS：66mJ
总耗散功率 PD：87W
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：1.44℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
手机快充MOS管 80N06的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 60 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 4.7 | 6 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A | 6.4 | 10 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 2.5 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| IDSS | 零栅压漏极电流 | 1 | μA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 30 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 5.8 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 6.1 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2136 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 331.5 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 10.6 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 22.9 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 6.5 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 45.7 | |||
| tf | 开启下降时间 | 20.4 |
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