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10mΩ 低内阻场效应管 65N06 PDFN5X6-8L
10mΩ 低内阻场效应管 65N06 PDFN5X6-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:65N06
产品封装:PDFN5X6-8L
产品标题:10mΩ 低内阻场效应管 65N06 PDFN5X6-8L 电池保护用MOS 60V/65A
咨询热线:0769-89027776

产品详情


10mΩ 低内阻场效应管 65N06 PDFN5X6-8L 电池保护用MOS 60V/65A



电池保护用MOS 65N06的引脚图:

image.png



电池保护用MOS 65N06的应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS不间断电源



电池保护用MOS 65N06的极限参数:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:60V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:65A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:138A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:30mJ

  • 总耗散功率 PD:60W

  • 结到环境的热阻 RθJA:62℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:2.1℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



电池保护用MOS 65N06的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压6068
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=20A


7.510
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=10A


1013
VGS(th)
栅极开启电压1.21.52.5V
IGSS

栅极漏电流



±100nA
IDSS零栅压漏极电流


1μA
Qg栅极电荷
18.4
nC
Qgs栅源电荷密度

3.3
Qgd栅漏电荷密度
3.1
Ciss输入电容
1182.1
pF
Coss输出电容
199.5
Crss反向传输电容
4.1
td(on)开启延迟时间
17.9
ns
tr开启上升时间
4
td(off)关断延迟时间
34.9
tf
开启下降时间
5.5


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