N沟道场效应管 50N06 PDFN3X3-8L 贴片MOS 开关用MOS管

贴片MOS 50N06的特点：

• V_DS=60V

• I_D=50A

• R_DS(ON)＜16mΩ@V_GS=10V

• 封装：PDFN3X3-8L

贴片MOS 50N06的用途：

• 电池保护

• 负载开关

• UPS不间断电源

贴片MOS 50N06的极限参数：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：60V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：50A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：90A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：39.2mJ

• 雪崩电流 I_AS：38A

• 总耗散功率 P_D：45W

• 结到环境的热阻 R_θJA：62℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：2.8℃/W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

贴片MOS 50N06的电特性：

(如无特殊说明，T_J=25℃)