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60V/8A N沟道MOS管 8N06 SOP8
60V/8A N沟道MOS管 8N06 SOP8
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:8N06
产品封装:SOP8
产品标题:60V/8A N沟道MOS管 8N06 SOP8 电源管理MOS管 贴片MOS丝印
咨询热线:0769-89027776

产品详情


60V/8A N沟道MOS管 8N06 SOP8 电源管理MOS管 贴片MOS丝印



电源管理MOS管 8N06的特点:

  • VDS=60V

  • ID=8A

  • RDS(ON)<40mΩ@VGS=10V

  • 封装:SOP8



电源管理MOS管 8N06的用途:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS不间断电源



电源管理MOS管 8N06的极限值:

image.png



电源管理MOS管 8N06的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压60V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续 TA=25℃4.5A
漏极电流-连续 TA=70℃3.5
IDM漏极电流-脉冲18
PD总耗散功率 TA=25℃1.5W
RθJA结到环境的热阻85℃/W
RθJC结到管壳的热阻25
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



电源管理MOS管 8N06的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压60

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=4A


3540
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=2A


4550
VGS(th)
栅极开启电压1
2.5V
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
19
nC
Qgs栅源电荷密度

2.6
Qgd栅漏电荷密度
4.1
Ciss输入电容
1027
pF
Coss输出电容
65
Crss反向传输电容
46
td(on)开启延迟时间
3
ns
tr开启上升时间
34
td(off)关断延迟时间
23
tf
开启下降时间
6


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