50VN沟道MOS 50N05 TO-252 19mΩ 负载开关用MOS 国内MOS
50VN沟道MOS 50N05的用途：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
50VN沟道MOS 50N05的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 50 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 50 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 85 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 31.3 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 25 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 31.3 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 65 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 3 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
50VN沟道MOS 50N05的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 49 | 55 | 58 | V |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=15A | 15.5 | 19 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A | 18.5 | 24 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.4 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 10 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.55 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.8 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1013 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 107 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 76 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 2.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 12.8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 21.2 | |||
| tf | 开启下降时间 | 6.4 |
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