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-40V/-30A 低内阻P型MOS 30P04 PDFN5X6-8L
-40V/-30A 低内阻P型MOS 30P04 PDFN5X6-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:30P04
产品封装:PDFN5X6-8L
产品标题:-40V/-30A 低内阻P型MOS 30P04 PDFN5X6-8L 场效应管的应用 MOS选型
咨询热线:0769-89027776

产品详情


-40V/-30A 低内阻P型MOS 30P04 PDFN5X6-8L 场效应管的应用 MOS选型



低内阻P型MOS 30P04的引脚配置图:

image.png



低内阻P型MOS 30P04的用途:

  • 电池电流

  • 负载开关

  • UPS不间断电源



低内阻P型MOS 30P04的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:-40V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:-30A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-105A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:146mJ

  • 雪崩电流 IAS:-54A

  • 总耗散功率 PD:52.1W

  • 结到环境的热阻 RθJA:62℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:2.4℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



低内阻P型MOS 30P04的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-40

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-18A


10.513

静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-12A


1520
VGS(th)
栅极开启电压-1-1.6-2.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
27.9
nC
Qgs栅源电荷密度
7.7
Qgd栅漏电荷密度
7.5
Ciss输入电容
3500
pF
Coss输出电容
323
Crss反向传输电容
222
td(on)开启延迟时间
40
ns
tr开启上升时间
35.2
td(off)关断延迟时间
100
tf
开启下降时间
9.6

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