增强型PMOS 10P04 TO-252 场效应管引脚图 -40V/-10A 低压MOSFET

增强型PMOS 10P04的产品特点：

• V_DS=-40V

• I_D=-10A

• R_DS(ON)＜65mΩ@V_GS=-10V

• 封装：TO-252
  

增强型PMOS 10P04的用途：

• 电池保护

• 负载开关

• UPS不间断电源

增强型PMOS 10P04的极限参数：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：-40V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：-10A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：-32A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：21mJ

• 雪崩电流 I_AS：-20.5A

• 总耗散功率 P_D：25W

• 结到环境的热阻 R_θJA：62℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：5℃/W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

增强型PMOS 10P04的电特性：

(如无特殊说明，T_J=25℃)