国产 贴片小电流PMOS 8P04 SOP-8 手机快充MOS 场效应管价格
手机快充MOS 8P04的管脚图：
手机快充MOS 8P04的用途：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
手机快充MOS 8P04的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -40 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TA=25℃) | -8 | A |
| 漏极电流-连续(TA=70℃) | -6.9 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -32 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 41 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | -28.6 | A |
| PD | 总耗散功率(TA=25℃) | 2.5 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 50 | ℃/W |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
手机快充MOS 8P04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -40 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-5A | 32 | mΩ | ||
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-4A | 46 | ||||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1.2 | -2.5 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 11.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 3.3 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1415 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 134 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 102 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 22 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 15.7 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 59 | |||
| tf | 开启下降时间 | 5.5 |
扫二维码进入手机网站