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电池保护MOS 120N04 TO-263
电池保护MOS 120N04 TO-263
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:120N04
产品封装:TO-263
产品标题:国产 40V/120A 电池保护MOS 120N04 TO-263 国产MOS管价格 N型场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


国产 40V/120A 电池保护MOS 120N04 TO-263 国产MOS管价格 N型场效应管



电池保护MOS 120N04的应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS不间断电源



电池保护MOS 120N04的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:40V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:120A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:600A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:272mJ

  • 雪崩电流 IAS:33A

  • 总耗散功率 PD:180W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃

  • 结到管壳的热阻 RθJA:50℃/W

  • 结到环境的热阻 RθJC:0.7℃/W



电池保护MOS 120N04的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压4044
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=30A


34
VGS(th)
栅极开启电压22.84V
IDSS

零栅压漏极电流



1μA
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
80
nC
Qgs栅源电荷密度
17
Qgd栅漏电荷密度
21
Ciss输入电容
4900
pF
Coss输出电容
528
Crss反向传输电容
317
td(on)开启延迟时间
21
ns
tr开启上升时间
32
td(off)关断延迟时间
71
tf
开启下降时间
40



电池保护MOS 120N04的封装外形尺寸图:

image.png


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