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3.2mΩMOS 100N04 PDFN5X6-8L
3.2mΩMOS 100N04 PDFN5X6-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:100N04
产品封装:PDFN5X6-8L
产品标题:3.2mΩMOS 100N04 PDFN5X6-8L 负载开关场效应管 国产MOS参数
咨询热线:0769-89027776

产品详情


3.2mΩMOS 100N04 PDFN5X6-8L 负载开关场效应管 国产MOS参数



3.2mΩMOS 100N04的用途:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS不间断电源



3.2mΩMOS 100N04的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压40V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)100A
漏极电流-连续(TC=100℃)71
IDM漏极电流-脉冲240
EAS单脉冲雪崩能量145mJ
IAS雪崩电流54A
PD总耗散功率 TC=25℃22W
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJC结到管壳的热阻1.7℃/W
RθJA结到环境的热阻55



3.2mΩMOS 100N04的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压40

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=20A


2.53.2

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=15A


3.85.3
VGS(th)
栅极开启电压11.72.2V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=40V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零栅压漏极电流

VDS=40V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
22.7
nC
Qgs栅源电荷密度
7.5
Qgd栅漏电荷密度
5.5
Ciss输入电容
2648
pF
Coss输出电容
899
Crss反向传输电容
71
td(on)开启延迟时间
10
ns
tr开启上升时间
5
td(off)关断延迟时间
33
tf
开启下降时间
6.5

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