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大功率场效应管 100N04 TO-252
大功率场效应管 100N04 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:100N04
产品封装:TO-252
产品标题:宇芯微 100N04 TO-252 大功率场效应管 国产替换 负载开关用MOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


宇芯微 100N04 TO-252 大功率场效应管 国产替换 负载开关用MOS管



负载开关用MOS管 100N04的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压40V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)100A
漏极电流-连续(TC=100℃)58
IDM漏极电流-脉冲150
EAS单脉冲雪崩能量110.5mJ
IAS雪崩电流47A
PD总耗散功率52.1W
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJC结到管壳的热阻2.4℃/W
RθJA结到环境的热阻62



负载开关用MOS管 100N04的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压40

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=15A


4.56.5

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=12A


5.89
VGS(th)
栅极开启电压1.
2.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零栅压漏极电流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
28
nC
Qgs栅源电荷密度
7.85
Qgd栅漏电荷密度
12.5
Ciss输入电容
3354
pF
Coss输出电容
275
Crss反向传输电容
204
td(on)开启延迟时间
20.2
ns
tr开启上升时间
11.8
td(off)关断延迟时间
84.8
tf
开启下降时间
8.6


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