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40V/85A 6.5mΩ低压MOS管 85N04 PDFN5X6-8L
40V/85A 6.5mΩ低压MOS管 85N04 PDFN5X6-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:85N04
产品封装:PDFN5X6-8L
产品标题:40V/85A 6.5mΩ低压MOS管 85N04 PDFN5X6-8L UPS电源用MOS
咨询热线:0769-89027776

产品详情


40V/85A 6.5mΩ低压MOS管 85N04 PDFN5X6-8L UPS电源用MOS



UPS电源用MOS 85N04的引脚图:

image.png



UPS电源用MOS 85N04的用途:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS不间断电源



UPS电源用MOS 85N04的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:40V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:85A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:150A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:110.5mJ

  • 雪崩电流 IAS:47A

  • 总耗散功率 PD:52.1W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃

  • 结到环境的热阻 RθJA:62℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:2.4℃/W



UPS电源用MOS 85N04的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压40

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=10A


4.56.5

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=5A


6.48.5
VGS(th)
栅极开启电压1
2.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零栅压漏极电流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
20
nC
Qgs栅源电荷密度
5.8
Qgd栅漏电荷密度
9.5
Ciss输入电容
2354
pF
Coss输出电容
215
Crss反向传输电容
175
td(on)开启延迟时间
15.2
ns
tr开启上升时间
8.8
td(off)关断延迟时间
74
tf
开启下降时间
7



UPS电源用MOS 85N04的封装外形尺寸图:

image.png


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