80N04 PDFN3X3-8L MOSFET引脚排列 80A大功率MOS 场效应管工作原理
80A大功率MOS 80N04的引脚排列图：
80A大功率MOS 80N04的特点：
VDS=40V
ID=80A
RDS(ON)＜6.5mΩ@VGS=10V
封装：PDFN3X3-8L
80A大功率MOS 80N04的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：40V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：80A
漏极电流-脉冲 IDM：150A
单脉冲雪崩能量 EAS：110.5mJ
雪崩电流 IAS：47A
总耗散功率 PD：52.1W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：2.4℃/W
80A大功率MOS 80N04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 40 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=15A | 4.8 | 6.5 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=12A | 7.2 | 9 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1. | 2.5 | V | |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 28 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 7.85 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 12.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3354 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 275 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 204 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 20.2 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 11.8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 84.8 | |||
| tf | 开启下降时间 | 8.6 |
80A大功率MOS 80N04的参数特性曲线图：
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