60N04 TO-252 低内阻40V场效应管 大功率MOSFET 电池保护MOS
电池保护MOS 60N04的特点：
VDS=40V
ID=60A
RDS(ON)＜18.5mΩ@VGS=10V
封装：TO-252
电池保护MOS 60N04的应用：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
电池保护MOS 60N04的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 40 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 60 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 100 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 31 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 25 | A |
| PD | 总耗散功率 | 34.7 | W |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 3.6 | ℃/W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 65 |
电池保护MOS 60N04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 40 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 14.5 | 18.5 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=10A | 17.5 | 20.5 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 10.7 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.2 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1314 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 120 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 88 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 8.6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 3.4 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 25 | |||
| tf | 开启下降时间 | 2.2 |
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