宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,168彩票下载星空娱乐 ,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 » 产品中心 » app星空游戏 » MOS管 » 中低压MOS管 » 负载开关40VNMOS 5N04 SOT23-3L

产品分类

Product Categories
负载开关40VNMOS 5N04 SOT23-3L
负载开关40VNMOS 5N04 SOT23-3L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:5N04
产品封装:SOT23-3L
产品标题:负载开关40VNMOS 5N04 SOT23-3L 场效应管参数 5N04 40V/5A
咨询热线:0769-89027776

产品详情


负载开关40VNMOS 5N04 SOT23-3L 场效应管参数 5N04 40V/5A



负载开关40VNMOS 5N04的特点:

  • VDS=40V

  • ID=5A

  • RDS(ON)<37mΩ@VGS=10V

  • 封装:SOT23-3L



负载开关40VNMOS 5N04的应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS不间断电源



负载开关40VNMOS 5N04的极限参数:

(如无特殊说明,TA=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压40V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TA=25℃)5A
漏极电流-连续(TA=70℃)3.5
IDM漏极电流-脉冲14
PD总耗散功率 TA=25℃1W
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJA结到环境的热阻125℃/W
RθJC
结到管壳的热阻80



负载开关40VNMOS 5N04的电特性:

(如无特殊说明,TA=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压40

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=4A


3037

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=3A


4050
VGS(th)
栅极开启电压11.52.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零栅压漏极电流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
5
nC
Qgs栅源电荷密度
1.54
Qgd栅漏电荷密度
1.84
Ciss输入电容
452
pF
Coss输出电容
51
Crss反向传输电容
38
td(on)开启延迟时间
7.8
ns
tr开启上升时间
2.1
td(off)关断延迟时间
29
tf
开启下降时间
2.1



负载开关40VNMOS 5N04的参数特性图:

blob.png


blob.png


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设
Baidu
map