30V功率MOSFET 4435A SOP-8 MOS管丝印 锂电保护用MOS
锂电保护用MOS 4435A的特点：
VDS=-30V
ID=-10.5A
RDS(ON)＜16mΩ@VGS=-10V
封装：SOP-8
锂电保护用MOS 4435A的应用：
锂电池保护
手机快充
锂电保护用MOS 4435A的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-30V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-10.5A
漏极电流-脉冲 IDM：-50A
单脉冲雪崩能量 EAS：72.2mJ
雪崩电流 IAS：-38A
总耗散功率 PD：3.1W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：75℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：24℃/W
锂电保护用MOS 4435A的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -30 | -32 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-10A | 12 | 16 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-5A | 18 | 24 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 30 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 9 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1800 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 305 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 216 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 10 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 26 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 35 | |||
| tf | 开启下降时间 | 8 |
锂电保护用MOS 4435A的封装外形尺寸图：
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