贴片100V场效应管 5N10 SOT89-3L 手机快充用MOS管 MOS管5N10
手机快充用MOS管 5N10的引脚图：
手机快充用MOS管 5N10的特点：
VDS=100V
ID=5A
RDS(ON)＜110mΩ@VGS=10V
封装：SOT89-3L
手机快充用MOS管 5N10的用途：
锂电充电
手机快充
手机快充用MOS管 5N10的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | 5 | A |
| 漏极电流-连续 TA=70℃ | 3.6 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 15 | |
| PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 3.5 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 40 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
手机快充用MOS管 5N10的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=3A | 88 | 110 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=2A | 95 | 125 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 25.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 4.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.3 | |||
| Ciss | 输入电容 | 677 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 46 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 32 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 17.3 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 2.8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 50 | |||
| tf | 开启下降时间 | 2.8 |
手机快充用MOS管 5N10的封装外形尺寸图：
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