-30VP沟道场效应管 70P03 TO-252 开关用 国产低内阻MOS管
国产低内阻MOS管 70P03的应用领域：
电池保护
负载开关
不间断电源
国产低内阻MOS管 70P03的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-30V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-70A
漏极电流-脉冲 IDM：-200A
单脉冲雪崩能量 EAS：80mJ
雪崩电流 IAS：-40A
总耗散功率 PD：90W
结到环境的热阻 RθJA：20℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：1.6℃/W
存储温度 TSTG：-55~175℃
工作结温 TJ：-55~175℃
国产低内阻MOS管 70P03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -30 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-20A | 6 | 7.2 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-15A | 9.5 | 12 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1.2 | -2.5 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 60 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 9 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 15 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3450 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 255 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 140 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 17 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 40 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 55 | |||
| tf | 开启下降时间 | 13 |
国产低内阻MOS管 70P03的封装外形尺寸图：
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