-30V/-40A 国产低内阻MOS管 40P03 PDFN3X3-8L 大芯片场效应管
国产低内阻MOS管 40P03的管脚配置图：
国产低内阻MOS管 40P03的特点：
VDS=-30V
ID=-40A
RDS(ON)＜16mΩ@VGS=-10V
封装：PDFN3X3-8L
国产低内阻MOS管 40P03的应用领域：
锂电池保护
手机快充
国产低内阻MOS管 40P03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-30V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-40A
漏极电流-脉冲 IDM：-120A
单脉冲雪崩能量 EAS：68mJ
雪崩能量 IAS：-29.4A
总耗散功率 PD：3.1W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：75℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：24℃/W
国产低内阻MOS管 40P03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -30 | -32.5 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-10A | 10.5 | 16 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-5A | 16 | 20 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1.2 | -1.5 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 22 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 4 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.8 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2130 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 280 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 252 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 9 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 13 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 48 | |||
| tf | 开启下降时间 | 20 |
国产低内阻MOS管 40P03的封装外形尺寸图：
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