12VMOS管 2P01 SOT-23 超低电压MOS管 2P01 2.3A场效应管
12VMOS管 2P01的引脚图：
12VMOS管 2P01的极限值：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -12 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±10 | |
| ID | 漏极电流-连续 | -2.8 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -8 | |
| PD | 总耗散功率 | 0.9 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 138 | ℃/W |
| TJ,TSTG | 工作结温和存储温度 | -55~150 | ℃ |
12VMOS管 2P01的电特性：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -12 | -16 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-2.5A | 100 | 135 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-2A | 125 | 160 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -0.4 | -0.65 | -1 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 | -1 | μA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 5.4 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.1 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.3 | |||
| Ciss | 输入电容 | 455 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 194 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 134 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 9 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 14 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 21 | |||
| tf | 开启下降时间 | 17 |
12VMOS管 2P01的封装外形尺寸图：
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