小电流NMOS 3416 SOT23-3L 小家电用MOS管 MOSFET替换
小电流NMOS 3416的管脚配置图：
小电流NMOS 3416的特点：
VDS=20V
ID=6.5A
RDS(ON)＜33mΩ@VGS=4.5V
封装：SOT23-3L
小电流NMOS 3416的应用：
电池保护
负载开关
不间断电源
小电流NMOS 3416的极限值：
(如无特殊说明，TA=25℃)
漏极-源极电压 VDS：20V
栅极-源极电压 VGS：±12V
漏极电流-连续 ID：6.5A
漏极电流-脉冲 IDM：30A
总耗散功率 PD：1.4W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：3.8℃/W
小电流NMOS 3416的电特性：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=6.5A | 17 | 27 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=5.5A | 21 | 33 | |||
静态漏源导通电阻 VGS=1.8V,ID=5A | 28 | 40 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.45 | 0.7 | 1 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 | 1 | μA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±10 | μA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 8 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 3 | |||
| Ciss | 输入电容 | 660 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 160 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 87 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 0.5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 1 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 12 | |||
| tf | 开启下降时间 | 4 |
小电流NMOS 3416的封装外形尺寸图：
扫二维码进入手机网站