20VN型MOS管 2320 SOT-23-3L MOS管封装排列 功率场效应管
MOS管封装排列 2320的管脚图：
MOS管封装排列 2320的特点：
VDS=20V
ID=8A
RDS(ON)＜12mΩ@VGS=4.5V
封装：SOT-23-3L
MOS管封装排列 2320的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：20V
栅极-源极电压 VGS：±12V
漏极电流-连续 ID：8A
漏极电流-脉冲 IDM：75A
总耗散功率 PD：12W
存储温度 TSTG：-55~175℃
工作结温 TJ：-55~175℃
结到管壳的热阻 RθJC：3.8℃/W
MOS管封装排列 2320的电特性：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | 22 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=6A | 8.5 | 12 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=3A | 1 | 15 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 0.65 | 1.2 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 | 1 | uA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 15 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.8 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.8 | |||
| Ciss | 输入电容 | 625 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 162 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 105 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 4.5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 9.2 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 18.7 | |||
| tf | 开启下降时间 | 3.3 |
MOS管封装排列 2320的封装外形尺寸图：
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