20V低压NMOS 2302 SOT-23 电池保护用MOS 高性能场效应管
20V低压NMOS 2302的应用领域：
电池保护
负载开关
不间断电源
20V低压NMOS 2302的引脚图：
20V低压NMOS 2302的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：20V
栅极-源极电压 VGS：±12V
漏极电流-连续 ID：4.2A
漏极电流-脉冲 IDM：14.4A
总耗散功率 PD：1W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：125℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：80℃/W
20V低压NMOS 2302的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | 22 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=3A | 24 | 32 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=2A | 29 | 38 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 0.75 | 1.2 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=16V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=16V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 4.6 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 0.7 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 310 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 49 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 35 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 1.6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 42 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 14 | |||
| tf | 开启下降时间 | 7 |
20V低压NMOS 2302的封装外形尺寸图：
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