MOS管20P02 贴片国产PMOS 20P02 TO-252 -20V/-20A 电池保护MOSFET
贴片国产PMOS 20P02的管脚图：
贴片国产PMOS 20P02的应用：
电池保护
负载开关
不间断电源
贴片国产PMOS 20P02的特点：
VDS=-20V
ID=-20A
RDS(ON)＜18mΩ@VGS=-4.5V
封装：TO-252
贴片国产PMOS 20P02的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续 TC=25℃ | -20 | A |
| 漏极电流-连续 TC=70℃ | -12 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -60 | |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 39 | W |
| 总耗散功率 TC=70℃ | 20 | ||
| RθJA | 结到环境的热阻 | 65 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 3.2 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
贴片国产PMOS 20P02的电特性：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -20 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-5A | 15 | 18 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-3A | 17 | 25 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -0.4 | -0.7 | -1 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=-20V,VGS=0V | -1 | μA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 35 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 10 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2700 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 680 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 590 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 11 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 35 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 30 | |||
| tf | 开启下降时间 | 10 |
贴片国产PMOS 20P02的封装外形尺寸图：
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