国产MOSFET 180N03 TO-263 贴片N型场效应管 MOS管180N03
国产MOSFET 180N03的特点：
VDS=30V
ID=180A
RDS(ON)＜3.2mΩ@VGS=10V
封装：TO-263
国产MOSFET 180N03的应用领域：
电池保护
负载开关
不间断电源
国产MOSFET 180N03的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：30V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：180A
漏极电流-脉冲 IDM：500A
单脉冲雪崩能量 EAS：246mJ
雪崩电流 IAS：70.2A
总耗散功率 PD：187W
存储温度 TSTG：-55~175℃
工作结温 TJ：-55~175℃
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：0.8℃/W
国产MOSFET 180N03的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | 38 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 2.1 | 3.2 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=15A | 3 | 3.8 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 56.9 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 13.8 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 23.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 5850 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 720 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 525 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 20.1 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 6.3 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 124.6 | |||
| tf | 开启下降时间 | 15.8 |
国产MOSFET 180N03的封装外形尺寸图：
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