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低压场效应管 180N03 TO-220
低压场效应管 180N03 TO-220
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:180N03
产品封装:TO-220
产品标题:低压场效应管 180N03 TO-220 电源用插件MOS管 国产30VMOS管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


低压场效应管 180N03 TO-220 电源用插件MOS管 国产30VMOS管



国产30VMOS管 180N03的特点:

  • VDS=30V

  • ID=180A

  • RDS(ON)<3.2mΩ@VGS=10V

  • 封装:TO-220



国产30VMOS管 180N03的应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



国产30VMOS管 180N03的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压30V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)180A
漏极电流-连续(TC=100℃)145
IDM漏极电流-脉冲500
EAS单脉冲雪崩能量246mJ
IAS雪崩电流70.2A
PD总耗散功率 TC=25℃187W
TSTG存储温度-55~175
TJ工作结温-55~175
RθJA结到环境的热阻62℃/W
RθJC
结到管壳的热阻0.8



国产30VMOS管 180N03的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压3038
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=30A


2.13.2

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=15A


33.8
VGS(th)
栅极开启电压1.21.62.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零栅压漏极电流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
56.9
nC
Qgs栅源电荷密度
13.8
Qgd栅漏电荷密度
23.5
Ciss输入电容
5850
pF
Coss输出电容
720
Crss反向传输电容
525
td(on)开启延迟时间
20.1
ns
tr开启上升时间
6.3
td(off)关断延迟时间
124.6
tf
开启下降时间
15.8


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