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30V/150A场效应管 150N03 TO-220
30V/150A场效应管 150N03 TO-220
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:150N03
产品封装:TO-220
产品标题:30V/150A场效应管 150N03 TO-220 直插MOS管 MOS管引脚功能
咨询热线:0769-89027776

产品详情


30V/150A场效应管 150N03 TO-220 直插MOS管 MOS管引脚功能



直插MOS管 150N03的特点:

  • VDS=30V

  • ID=150A

  • RDS(ON)<4mΩ@VGS=10V

  • 封装:TO-220



直插MOS管 150N03的应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



直插MOS管 150N03的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压30V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)150A
IDM漏极电流-脉冲225
EAS单脉冲雪崩能量145mJ
IAS雪崩电流53.8A
PD总耗散功率 TC=25℃86.8W
总耗散功率 TA=25℃2
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJA结到环境的热阻62℃/W
RθJC
结到管壳的热阻1.44



直插MOS管 150N03的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压30

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=30A



4

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=15A



6
VGS(th)
栅极开启电压1
2.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零栅压漏极电流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
31.6
nC
Qgs栅源电荷密度
6.1
Qgd栅漏电荷密度
13.8
Ciss输入电容
3075
pF
Coss输出电容
400
Crss反向传输电容
315
td(on)开启延迟时间
11.2
ns
tr开启上升时间
49
td(off)关断延迟时间
35
tf
开启下降时间
7.8


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