贴片N沟道MOS场效应管 110N03 TO-252 电源用MOSFET MOS管110N03
电源用MOSFET 110N03的管脚图：
电源用MOSFET 110N03的应用：
电池保护
负载开关
不间断电源
电源用MOSFET 110N03的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 110 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 192 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 144.7 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 53.8 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 62.5 | W |
| TSTG | 存储温度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~175 | |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 2.4 |
电源用MOSFET 110N03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 2.3 | 4 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=15A | 4.3 | 6 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 70 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 12 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 17 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3500 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 386 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 358 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 11 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 120 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 25 | |||
| tf | 开启下降时间 | 60 |
电源用MOSFET 110N03的参数特性曲线图：
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