MOS场效应管 100N03 TO-263 贴片MOSFET参数 30V100A 低压MOS
MOS场效应管 100N03的引脚图：
MOS场效应管 100N03的特点：
VDS=30V
ID=100A
RDS(ON)＜4.2mΩ@VGS=10V
封装：TO-263
MOS场效应管 100N03的应用：
功率切换应用程序
硬开关和高频电路
不间断电源
MOS场效应管 100N03的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：30V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续(TC=25℃) ID：90A
漏极电流-脉冲 IDM：320A
单脉冲雪崩能量 EAS：225mJ
总耗散功率 (TC=25℃) PD：176W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：175℃
结到管壳的热阻 RθJC：1.67℃/W
MOS场效应管 100N03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=40A | 4.2 | 5.5 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=20A | 5.2 | 6.5 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TC=25℃ | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TC=125℃ | 100 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 VGS=10V | 36 | nC | ||
| 栅极电荷 VGS=4.5V | 18.5 | ||||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 8 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1720 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 220 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 165 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 13.5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 15 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 20 | |||
| tf | 开启下降时间 | 14 |
MOS场效应管 100N03的封装外形尺寸图：
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