高频电路用MOS管 100N03 TO-220 插件MOS 国内MOSFET
插件MOS 100N03的特点：
VDS=30V
ID=100A
RDS(ON)＜4.2mΩ@VGS=10V
封装：TO-220
插件MOS 100N03的应用：
功率切换应用程序
硬开关和高频电路
不间断电源
插件MOS 100N03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 90 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 320 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 225 | mJ |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 176 | W |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | 175 | |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.67 | ℃/W |
插件MOS 100N03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=40A | 4.2 | 5.5 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=20A | 5.2 | 6.5 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TC=25℃ | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TC=125℃ | 100 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 VGS=10V | 36 | nC | ||
| 栅极电荷 VGS=4.5V | 18.5 | ||||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 8 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1720 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 220 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 165 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 13.5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 15 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 20 | |||
| tf | 开启下降时间 | 14 |
插件MOS 100N03的封装外形尺寸图：
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