功率器件MOS管 80N03 PDFN5X6-8L 30V低压MOS 场效应管中文资料
功率器件MOS管 80N03的引脚配置图：
功率器件MOS管 80N03的特点：
VDS=30V
ID=80A
RDS(ON)＜4mΩ@VGS=10V
封装：PDFN5X6-8L
功率器件MOS管 80N03的应用领域：
电池保护
负载开关
不间断电源
功率器件MOS管 80N03的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDSS：30V
栅极-源极电压 VGSS：±20V
漏极电流-连续 (TC=25℃)ID：80A
漏极电流-连续 (TC=100℃)ID：65A
漏极电流-脉冲 IDM：400A
单脉冲雪崩能量 EAS：320mJ
雪崩电流 IAS：45.8A
存储温度 TSTG：-55~175℃
工作结温 TJ：-55~175℃
总耗散功率(TC=25℃) PD：88W
总耗散功率(TA=25℃) PD：44W
结到环境的热阻 RθJA：58℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：2.3℃/W
功率器件MOS管 80N03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=24A | 2.9 | 4 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=12A | 5.3 | 6.5 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=30V,VGS=0V | 1 | uA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 42 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 4 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 13 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2200 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 280 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 177 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 12.6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 19.5 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 42.8 | |||
| tf | 开启下降时间 | 13.2 |
功率器件MOS管 80N03的封装外形尺寸图：
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