30VN沟道场效应管 70N03 低压NMOS MOS管参数替换
低压NMOS 70N03的引脚图：
低压NMOS 70N03的特点：
VDS=30V
ID=70A
RDS(ON)＜5.5mΩ@VGS=10V
封装：PDFN5X6-8L
低压NMOS 70N03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 70 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 160 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 115.2 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 48 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 59 | W |
| 总耗散功率 TA=25℃ | 2 | ||
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 2.1 |
低压NMOS 70N03的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 3.5 | 5.5 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=15A | 6.5 | 8.5 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 20 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 7.6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 7.2 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2295 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 267 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 210 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 7.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 15 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 37.3 | |||
| tf | 开启下降时间 | 10.6 |
低压NMOS 70N03的封装外形尺寸：
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