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30V/70A低压MOS管 70N03 PDFN3X3-8L
30V/70A低压MOS管 70N03 PDFN3X3-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:70N03
产品封装:PDFN3X3-8L
产品标题:30V/70A低压MOS管 70N03 PDFN3X3-8L 锂电保护用MOS管 N型场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


30V/70A低压MOS管 70N03 PDFN3X3-8L 锂电保护用MOS管 N型场效应管



锂电保护用MOS管 70N03的特点:

  • VDS=30V

  • ID=70A

  • RDS(ON)<5.5mΩ@VGS=10V

  • 封装:PDFN3X3-8L



锂电保护用MOS管 70N03的应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



锂电保护用MOS管 70N03的管脚配置图:

blob.png



锂电保护用MOS管 70N03的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压30V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)70A
IDM漏极电流-脉冲160
EAS单脉冲雪崩能量115.2mJ
IAS雪崩电流48A
PD总耗散功率 TC=25℃59W
总耗散功率 TA=25℃2
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJA结到环境的热阻62℃/W
RθJC
结到管壳的热阻2.1



锂电保护用MOS管 70N03的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压30

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=30A


3.55.5

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=15A


6.58.5
VGS(th)
栅极开启电压11.62.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零栅压漏极电流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
20
nC
Qgs栅源电荷密度
7.6
Qgd栅漏电荷密度
7.2
Ciss输入电容
2295
pF
Coss输出电容
267
Crss反向传输电容
210
td(on)开启延迟时间
7.8
ns
tr开启上升时间
15
td(off)关断延迟时间
37.3
tf
开启下降时间
10.6



锂电保护用MOS管 70N03的封装外形尺寸:

blob.png


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