宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,168彩票下载星空娱乐 ,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 » 产品中心 » app星空游戏 » MOS管 » 中低压MOS管 » 插件MOS管 60N03 TO-220

产品分类

Product Categories
插件MOS管 60N03 TO-220
插件MOS管 60N03 TO-220
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:60N03
产品封装:TO-220
产品标题:30VNMOS 插件MOS管 60N03 TO-220 MOS管应用场合
咨询热线:0769-89027776

产品详情


30VNMOS 插件MOS管 60N03 TO-220 MOS管应用场合



插件MOS管 60N03的特点:

  • VDS=30V

  • ID=60A

  • RDS(ON)<12mΩ@VGS=10V

  • 封装:TO-220



插件MOS管 60N03的应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



插件MOS管 60N03的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压30V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)60A
IDM漏极电流-脉冲112
EAS单脉冲雪崩能量24mJ
IAS雪崩电流22A
PD总耗散功率 TC=25℃52.1W
总耗散功率 TA=25℃2
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJA结到环境的热阻62℃/W
RθJC
结到管壳的热阻2.7



插件MOS管 60N03的电特性:

(如无特殊说明,Tj=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压30

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=30A



12

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=15A



18
VGS(th)
栅极开启电压1.2
2.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零栅压漏极电流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
9.8
nC
Qgs栅源电荷密度
4.2
Qgd栅漏电荷密度
3.6
Ciss输入电容
940

pF
Coss输出电容
131
td(on)开启延迟时间
4
ns
tr开启上升时间
8
td(off)关断延迟时间
31
tf
开启下降时间
4



插件MOS管 60N03的参数特性曲线图:

blob.png


blob.png


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设
Baidu
map