功率器件MOSFET 60N03 贴片场效应管价格 MOS管60N03替换
功率器件MOSFET 60N03的引脚图：
电池保护
负载开关
不间断电源
功率器件MOSFET 60N03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 60 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 110 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 57.8 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 34 | A |
| PD | 总耗散功率 TC=25℃ | 41 | W |
| 总耗散功率 TA=25℃ | 2.42 | ||
| TSTG | 存储温度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~175 | |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 3.6 |
功率器件MOSFET 60N03的电特性：
(如无特殊说明，Tj=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 7.5 | 8.5 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=15A | 11 | 14 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 12.6 | 17.6 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 4.2 | 5.9 | ||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.1 | 7.1 | ||
| Ciss | 输入电容 | 1317 | 1843 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 163 | 228 | ||
| Crss | 反向传输电容 | 131 | 183 | ||
| td(on) | 开启延迟时间 | 4.6 | 9.2 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 12.2 | 22 | ||
| td(off) | 关断延迟时间 | 26.6 | 53 | ||
| tf | 开启下降时间 | 8 | 16 |
功率器件MOSFET 60N03的封装外形尺寸图：
1、TO-252：
2、TO-251：
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