国产MOS管替换 40N03 SOP-8 低压MOS管 30V增强型NMOS
低压MOS管 40N03的特点：
VDS=30V
ID=40A
RDS(ON)＜9mΩ@VGS=10V
封装：SOP-8
低压MOS管 40N03的应用：
电池保护
负载开关
不间断电源
低压MOS管 40N03的极限值：
低压MOS管 40N03的极限值：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TA=25℃) | 40 | A |
| 漏极电流-连续(TA=70℃) | 8.2 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 82 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 61 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 35 | A |
| PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 1.5 | W |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 36 |
低压MOS管 40N03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A | 7.5 | 9 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=8A | 11 | 14 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 12.6 | 17.6 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 4.2 | 5.9 | ||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.1 | 7.1 | ||
| Ciss | 输入电容 | 1317 | 1845 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 163 | 228.2 | ||
| Crss | 反向传输电容 | 131 | 183.4 | ||
| td(on) | 开启延迟时间 | 6.2 | 12.4 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 59 | 106 | ||
| td(off) | 关断延迟时间 | 27.6 | 55 | ||
| tf | 开启下降时间 | 8.4 | 16.8 |
低压MOS管 40N03的封装外形尺寸：
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