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低压场效应管 30N03 PDFN3X3-8L
低压场效应管 30N03 PDFN3X3-8L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:30N03
产品封装:PDFN3X3-8L
产品标题:低压场效应管 30N03 PDFN3X3-8L MOS管应用领域 MOS管30N03
咨询热线:0769-89027776

产品详情


低压场效应管 30N03 PDFN3X3-8L MOS管应用领域 MOS管30N03



低压场效应管 30N03的特点:

  • VDS=30V

  • ID=30A

  • RDS(ON)<25mΩ@VGS=10V

  • 封装:PDFN3X3-8L



低压场效应管 30N03的应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



低压场效应管 30N03的引脚图:

blob.png



低压场效应管 30N03的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压30V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)30A
漏极电流-连续(TC=100℃)12
IDM漏极电流-脉冲50
EAS单脉冲雪崩能量8.1mJ
IAS雪崩电流12.7A
PD总耗散功率 TC=25℃20.8W
总耗散功率 TA=25℃2
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJA结到环境的热阻62℃/W
RθJC
结到管壳的热阻6



低压场效应管 30N03的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压3032
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=10A


15.625

静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=8A


28.538
VGS(th)
栅极开启电压1.21.62.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零栅压漏极电流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
4.9
nC
Qgs栅源电荷密度
1.66
Qgd栅漏电荷密度
1.85
Ciss输入电容
216
pF
Coss输出电容
62
Crss反向传输电容
51
td(on)开启延迟时间
1.6
ns
tr开启上升时间
15.8
td(off)关断延迟时间
13
tf
开启下降时间
4.8



低压场效应管 30N03的封装外形尺寸:

blob.png


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