低内阻场效应管 15N03 SOP-8 MOSFET型号参数 MOS管15N03
低内阻场效应管 15N03的特点：
VDS=30V
ID=15A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=10V
封装：SOP-8
低内阻场效应管 15N03的引脚图：
低内阻场效应管 15N03的应用：
电池保护
负载开关
不间断电源
低内阻场效应管 15N03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：30V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：15A
漏极电流-脉冲 IDM：25A
单脉冲雪崩能量 EAS：8mJ
雪崩电流 IAS：12.7A
总耗散功率 PD：1.5W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：85℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：25℃/W
低内阻场效应管 15N03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5A | 24 | 28 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=4A | 34 | 40 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 6 | 8.4 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.5 | 3.5 | ||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.1 | 2.9 | ||
| Ciss | 输入电容 | 572 | 800 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 81 | 112 | ||
| Crss | 反向传输电容 | 65 | 91 | ||
| td(on) | 开启延迟时间 | 2.4 | 4.8 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 7.8 | 14 | ||
| td(off) | 关断延迟时间 | 22 | 44 | ||
| tf | 开启下降时间 | 4 | 8 |
低内阻场效应管 15N03的参数特性曲线图：
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