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小电流N沟道MOS管 6N03 SOT89-3L
小电流N沟道MOS管 6N03 SOT89-3L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:6N03
产品封装:SOT89-3L
产品标题:小电流N沟道MOS管 6N03 SOT89-3L 6A 30V NMOS 贴片场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


小电流N沟道MOS管 6N03 SOT89-3L 6A 30V NMOS 贴片场效应管



贴片场效应管 6N03的特点:

  • VDS=30V

  • ID=6A

  • RDS(ON)<35mΩ@VGS=4.5V

  • 封装:SOT89-3L




贴片场效应管 6N03的应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



贴片场效应管 6N03的引脚图:

blob.png



贴片场效应管 6N03的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压30V
VGS栅极-源极电压±12
ID漏极电流-连续(TA=25℃)6A
漏极电流-连续(TA=70℃)4.7
IDM漏极电流-脉冲30
PD总耗散功率 TA=25℃1.5W
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150
RθJA结到环境的热阻85℃/W
RθJC
结到管壳的热阻1.5



贴片场效应管 6N03的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压30

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=5A


2935

静态漏源导通电阻

VGS=2.5V,ID=4A


3640
VGS(th)
栅极开启电压0.50.91.5V
IDSS

零栅压漏极电流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零栅压漏极电流

VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
68.4nC
Qgs栅源电荷密度
2.53.5
Qgd栅漏电荷密度
2.12.9
Ciss输入电容
572800pF
Coss输出电容
81112
Crss反向传输电容
6591
td(on)开启延迟时间
2.44.8ns
tr开启上升时间
7.814
td(off)关断延迟时间
2244
tf
开启下降时间
4
8



贴片场效应管 6N03的封装外形尺寸:

blob.png


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