20V/90A 低压MOS管 N沟道MOSFET 90N02 PDFN5X6-8L MOS管选型
低压MOS管 90N02的引脚图：
低压MOS管 90N02的应用：
电池保护
负载开关
不间断电源
低压MOS管 90N02的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 90 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 48 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 270 | |
| PD | 总耗散功率 | 83 | W |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 80 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 40 | A |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.5 | ℃/W |
低压MOS管 90N02的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | 23 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 1.6 | 2 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=20A | 1.9 | 2.5 | |||
静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=20A | 2.8 | 3.8 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 0.68 | 1 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=16V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=16V,VGS=0V,TJ=125℃ | 5 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±10 | uA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 77 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 8.7 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 14 | |||
| Ciss | 输入电容 | 4307 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 501 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 321 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 10.2 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 11.7 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 56.4 | |||
| tf | 开启下降时间 | 16.2 |
低压MOS管 90N02的封装外形尺寸：
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