大功率MOS管 60N02 20V/60A场效应管 低压MOS供应商
大功率MOS管 60N02的特点：
VDS=20V
ID=60A
RDS(ON)＜6mΩ@VGS=4.5V
封装：DFN3X3-8L
大功率MOS管 60N02的应用：
电池保护
负载开关
不间断电源
大功率MOS管 60N02的管脚图：
大功率MOS管 60N02的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 60 | A |
| 漏极电流-连续(TC=100℃) | 42 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 210 | |
| PD | 总耗散功率 | 60 | W |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 200 | mJ |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 2.1 | ℃/W |
大功率MOS管 60N02的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=20A | 4.8 | 6 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=15A | 6.2 | 9 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 0.75 | 1 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 | 1 | uA | ||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 27 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 6.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 6.4 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2000 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 500 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 200 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 6.4 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 17.2 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 29.6 | |||
| tf | 开启下降时间 | 16.8 |
大功率MOS管 60N02的参数特性曲线图：
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